美光彻底错失英伟达HBM4大单，韩系双雄垄断高端AI内存市场

2月10日，行业分析机构SemiAnalysis发布最新报告显示，韩系厂商SK海力士与三星将全面主导下一代高带宽内存（HBM4）市场，而美光（Micron）因技术路线失误，彻底痛失英伟达下一代Rubin芯片的HBM4订单，供应份额恐直接降至0%。

报告明确指出，美光在英伟达Vera Rubin平台的HBM4供应份额已被“清零”，与之形成鲜明对比的是，市场预计SK海力士将拿下约70%的订单，剩余30%则被三星尽数囊括，韩系双雄将彻底垄断这一AI核心高端内存市场，凸显行业头部竞争的残酷性。

美光此次失利的核心的是技术路线选择失策。为降低成本、掌控供应链，美光坚持内部自主设计和制造HBM4的基础裸片（Base Die），采取“单打独斗”的策略，这与SK海力士携手台积电、三星依托自身逻辑代工能力的布局形成巨大差距。

这种策略直接导致美光HBM4产品出现严重散热问题，且引脚速度（Pin Speeds）未能达到英伟达要求的标准——据悉三星、SK海力士样品引脚速率已达10Gbps，而美光样品明显落后。加之美光不愿转向更先进的外部制程节点，最终在关键性能指标上被竞争对手拉开差距。

时间差更是成为压垮美光的致命一击。目前英伟达Vera Rubin芯片已进入“全速生产”阶段，供应链名单基本锁定，即便美光计划2026年第二季度重新设计基础裸片、优化供电网络后提交资格测试，也已彻底错过最佳窗口期。

值得一提的是，三星此次率先达标英伟达HBM4引脚速度要求，成功摆脱HBM3时代的延误阴影，稳稳占据20%-30%的市场份额，与SK海力士形成双雄争霸的格局，共同瓜分这一高增长赛道红利。

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